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Si5858DU
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS
20
T J = 150 °C
10
T J = 25 °C
1
25 °C, unless otherwise noted
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
25 °C
125 °C
I D = 4.4 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.9
0.8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
I D = 250 μA
30
0.6
20
0.5
0.4
0.3
0.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
I DM limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
0.1
I D(on) limited
T A = 25 °C
Single Pulse
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
BVDSS limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73460
S09-2111-Rev. C, 12-Oct-09
www.vishay.com
5
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